高功率半导体激光器（激光放大器集成种子光）
产品介绍
HPL系列高功率半导体激光器（激光放大器集成种子光）将种子光源、隔离器、放大器、饱和吸收和光纤耦合等集成在一起，具有结构紧凑、稳定性高、易于使用等优点。
产品特点
结构紧凑、稳定性高、易于使用等
产品应用
激光光谱等领域
技术指标
| 中心波长 | 765nm | 780nm | 795nm | 822nm | 852nm |
| 波长范围 | 763-770nm | 775-785nm | 790-800nm | 808-829nm | 848-855nm |
| 最大输出功率 | 1500mW | 3000mW | 2000mW | 2000mW | 2000mW |
| 光纤耦合（可选） | 耦合效率>65%，FC/APC、保偏光纤输出，偏振消光比≥20dB | ||||
| 线宽 | ≤1MHz（稳频后≤2MHz） | ||||
| 光隔离器 | 隔离比≥30dB，内置4个 | ||||
| 监测光输出端口 | 可选空间监测光端口或者FC/APC光纤耦合监测端口 | ||||
| 稳频光路（可选） | 780、795nm：铷原子饱和吸收光路/852nm：铯原子饱和吸收光路 | ||||
| 驱动温度控制 | 温度控制范围：15-40℃；温度稳定性：≤1mK | ||||
| 驱动电流控制 | 种子光电流：0-200mA（最大500mA）；放大器电流：0-4000mA | ||||
